技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES根據(jù)微區(qū)分析能力和數(shù)據(jù)處理方式的不同，二次離子質(zhì)譜儀可分為以下幾種類型：1、非成像型離子探針特點(diǎn)：主要用于對(duì)側(cè)向均勻分布樣品的縱向剖析或?qū)悠纷钔獗砻鎸舆M(jìn)行特殊研究。應(yīng)用場景：適用于對(duì)樣品特定區(qū)域的元素組成和結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，例如對(duì)材料某一深度處的元素分布情況進(jìn)行檢測。2、掃描成像型離子探針特點(diǎn)：利用束斑直徑小于10μm的一次離子束在樣品表面作電視形式的光柵掃描，實(shí)現(xiàn)成像和元素分析。應(yīng)用場景：能夠獲取樣品表面的元素分布圖像，對(duì)于研究樣品表面元素的均勻性和分布規(guī)律具有重要意義，常用...
傅里葉變換核磁共振(NMR)儀是一種精密的科學(xué)儀器，廣泛用于化學(xué)、生物醫(yī)學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域。為了確保其長期穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性，必須進(jìn)行細(xì)致的養(yǎng)護(hù)。以下是傅里葉變換核磁共振儀的養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)：一、環(huán)境控制1.溫度與濕度傅里葉變換核磁共振儀應(yīng)安裝在溫度穩(wěn)定的環(huán)境中，理想溫度范圍為18-25℃。避免儀器暴露在溫度劇烈變化的環(huán)境中，以防止內(nèi)部元件受損。濕度控制在40%-60%為宜。過高的濕度可能導(dǎo)致電子元件受潮短路，而過低的濕度可能引發(fā)靜電干擾。2.無塵環(huán)境NMR儀應(yīng)放置在無塵環(huán)境中，避免灰塵...
對(duì)于復(fù)雜地質(zhì)樣品，電子多晶X射線衍射儀（XRD）是一種非常有效的分離和鑒定工具。以下是使用XRD對(duì)復(fù)雜地質(zhì)樣品進(jìn)行有效分離和鑒定的一般步驟：一、樣品準(zhǔn)備1、粉碎與研磨首先將復(fù)雜地質(zhì)樣品粉碎成細(xì)顆粒，通常需要使用研缽和研杵，或者球磨機(jī)等設(shè)備。粉碎后的顆粒尺寸應(yīng)符合XRD分析的要求，一般在微米級(jí)別，這樣能保證樣品具有足夠的表面積，使X射線能夠充分照射到晶體的各個(gè)面，獲得準(zhǔn)確的衍射信息。2、篩分與提純（可選）根據(jù)樣品的性質(zhì)和研究目的，可能需要進(jìn)行篩分以分離出特定粒徑范圍的顆粒。如果...
BiasMDP技術(shù)搭配MDPmap設(shè)備，開啟表面鈍化檢測新方式在能源產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，追求更高效率的太陽能電池成為行業(yè)核心目標(biāo)。而這其中，表面鈍化技術(shù)的優(yōu)劣起著決定性作用。要深入理解和優(yōu)化表面鈍化，精準(zhǔn)測量固定電荷和界面缺陷密度這兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)至關(guān)重要。為大家介紹一項(xiàng)行業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)——基于微波探測光電導(dǎo)衰減法（MDP）的BiasMDP技術(shù)，這一技術(shù)在實(shí)驗(yàn)測量環(huán)節(jié)，F(xiàn)reibergInstruments公司的MDPmap型號(hào)設(shè)備發(fā)揮了重要作用。在BiasMDP技術(shù)出現(xiàn)之前，...
MDP技術(shù)-硅錠質(zhì)量評(píng)估的“透視眼”在光伏生產(chǎn)鏈中，硅錠材料質(zhì)量評(píng)估對(duì)晶體生長者優(yōu)化結(jié)晶過程、電池、芯片制造商篩選材料以降本增效極為重要。傳統(tǒng)依賴最終效率的反饋方式存在諸多不足，MDP技術(shù)則為早期質(zhì)量評(píng)估提供了新途徑。FreibergInstruments相關(guān)技術(shù)或設(shè)備助力實(shí)現(xiàn)用MDP技術(shù)在硅磚四個(gè)側(cè)面以1mm分辨率測量空間壽命和電阻率圖像。這種測量具有非接觸、可在線操作且無需校準(zhǔn)的優(yōu)勢。MDP技術(shù)能夠?qū)уV的空間分辨載流子壽命和電阻率進(jìn)行測量，其測量過程為非接觸式，可在生產(chǎn)...
由來自國家食品藥品監(jiān)督管理局相關(guān)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、中國藥科大學(xué)、中國科學(xué)院上海藥物研究所等機(jī)構(gòu)的眾多科研人員組成的團(tuán)隊(duì)，結(jié)合體外溶出實(shí)驗(yàn)與三維X射線斷層掃描結(jié)構(gòu)表征的研究方法，開展了甲磺酸多沙唑嗪緩釋片相關(guān)研究。文章中，研究人員運(yùn)用Bruker納米級(jí)三維X射線顯微鏡（NanoCT）SkyScan2214剖析了藥物結(jié)構(gòu)與釋放動(dòng)力學(xué)關(guān)系，為口服控釋仿制藥研發(fā)和質(zhì)量控制提供了重要依據(jù)。該文章于2024年9月21日成功發(fā)表于AsianJournalofPharmaceuticalScien...
lexsyg釋光探測器||在地質(zhì)測年領(lǐng)域應(yīng)用分享突破測年極限！紫光激發(fā)發(fā)光技術(shù)新進(jìn)展，lexsyg系統(tǒng)助力古老沉積物測年研究這篇由牛津大學(xué)與伍倫貢大學(xué)聯(lián)合團(tuán)隊(duì)發(fā)表的研究，為石英測年技術(shù)帶來了重要突破。團(tuán)隊(duì)使用德國FreibergInstruments的lexsygresearchsystem高精度發(fā)光測量系統(tǒng)，對(duì)紫色受激發(fā)光（VSL）測年法展開系統(tǒng)性驗(yàn)證，揭示了該技術(shù)在突破傳統(tǒng)測年上限中的潛力與挑戰(zhàn)。創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)研究選取歐洲4處考古遺址樣本（年代跨度40-900ka），通過對(duì)...
在半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用中，缺陷表征至關(guān)重要。特別是在中子嬗變摻雜（NTD）硅的處理過程中，了解其輻射誘導(dǎo)缺陷對(duì)于優(yōu)化退火條件、提升材料性能意義非凡。FreibergInstruments公司的微波探測光致電流瞬態(tài)光譜法（MDPICTS）技術(shù)（如圖1），為這一領(lǐng)域帶來了新的突破，展現(xiàn)出諸多傳統(tǒng)技術(shù)難以企及的優(yōu)點(diǎn)。NTD硅，因能實(shí)現(xiàn)極低的電阻率變化，在大面積輻射探測器制造中占據(jù)重要地位。然而，摻雜后的硅晶體因輻射產(chǎn)生大量缺陷，實(shí)際電阻率遠(yuǎn)超預(yù)期，退火成為必要環(huán)節(jié)。在此過程中，準(zhǔn)...
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