飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF3+ 

特征

先進的多功能TOF-SIMS具有更強大的微區分析能力，更加出色的分析精度 

飛行時間二次離子質譜儀

新一代 TRIFT 質量分析器，更好的質量分辨率 

適用于絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析 

離子束技術 

平行成像 MS/MS 功能，助力有機大分子結構分析 

多功能選配附件

TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品 寬帶通能量+寬立體接收角度

寬帶通能量、寬立體接受角-適用于各種形貌樣品分析

主離子束激發的二次離子會以不同角度和能量從樣品表面飛 出，特別是對于有高度差異和形貌不規則的樣品，即使相同 的二次離子在分析器中會存在飛行時間上的差異，因此導致 質量分辨率變差，并對譜峰形狀和背景產生影響。 TRIFT質量分析器可以同時對二次離子發射角度和能量進行 校正， 保證相同二次離子的飛行時間一致， 所以TRIFT兼顧 了高質量分辨率和高檢測靈敏度優勢，而且對于不平整樣品 的成像可以減少陰影效應。

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實現高精度分析的一次離子設備

先進的離子束技術實現更高質量分辨

PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析:在高質量分辨模式下，其空間分辨率優于500nm ;在高空間分辨模式下，其空間分辨模式優于50 nm。通過結合強度高離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質量分析器，可以實現低噪聲、高靈敏度和高質量分辨率的測量;在這兩種模式下，只需幾分鐘的測試時間，均可完成采譜分析。

前所未見的無人值守TOF-SIMS自動化多樣品分析 -適用于絕緣材料

PHI nanoTOF3+搭載全新開發的自動化多樣品分析功能，程序可根據 樣品導電性自動調整分析時所需的高度與樣品臺偏壓， 可以對包括 絕緣材料在內的各類樣品進行無人值守自動化TOF-SIMS分析。 整個分析過程非常簡單， 只需三步即可對多個樣品進行表面或深度 分析 ：①在進樣室拍攝樣品臺照片 ；②在進樣室拍攝的照片上分析點 ；③按下分析鍵，設備自動開始分析。 過去，必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進行TOF-SIMS分析 ； 現在，無論操作人員是否熟練，都可以獲得高質量的分析數據

標配自動化傳樣系統

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現優異的全自動樣品傳送系 統 ：樣品尺寸可達100mmx100 mm， 而且分析室標配內置 樣品托停放裝置 ；結合分析序列編輯器（Queue Editor），可以實現對大量樣品的全自動連續測試。

采用新開發的脈沖氳離子設備獲得證書的自動荷電雙束中和技術

TOF-SIMS測試的大部分樣品為絕緣樣品，而絕緣樣品表面 通常有荷電效應。PHI nanoTOF3+ 采用自動荷電雙束中和 技術，通過同時發射低能量電子束和低能量氳離子束，可實現對任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動荷電中和，無需額外的人為操作。 

*需要選配Ar離子設備

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遠程訪問實現遠程控制儀器

PHI nanoTOF3+允許通過局域網或互聯網訪問儀器。 只需將樣品臺放入進樣室， 就可以對進樣、換樣、測試和分析等所有操作進行遠程控制。我們的專業人員可以對儀器進行遠程診斷。

*如需遠程診斷，請聯系我們的客戶服務人員。‍

從截面加工到截面分析： 只需一個離子源即可完成

標配離子設備FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中， 液態金屬離子具設備備 FIB功能， 可以使用單個離子設備對樣品進行 橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操 作計算機， 可以快速輕松地完成從FIB處理 到TOF-SIMS分析的全過程。此外，可在冷卻 條件下進行FIB加工。 

在選配Ga源進行FIB加工時，可以獲得FIB加 工區域的3D影像 ；Ga源還可以作為第二分析 源進行TOF-SIMS分析。

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通過平行成像MS/MS進行 分子結構分析[選配]

MS/MS平行成像 同時采集MS1/MS2數據

在TOF-SIMS測試中，MS1質量分析分析器接收從樣品表面 產生的所有二次離子碎片，對于質量數接近的大分子離子， MS1譜圖難以區分。通過安裝串聯質譜MS2，對于特定離子 進行碰撞誘導解離生產特征離子碎片，MS2譜圖可以實現 對分子結構的進一步鑒定。

PHI nanoTOF3+具備串聯質譜MS/MS平行成像功能， 可以同時獲取分析區域的MS1和MS2數據，為有機大分子結構解析提供了強有力的工具。

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多樣化配置充分發揮TOF-SIMS潛力

可拆卸手套箱：可安裝在樣品導入室

可以選配直接連接到樣品進樣室的可拆卸手套箱。 鋰離子電池和有機 OLED等容易與大氣發生反應的樣品可以直接安裝在樣品臺上。此外，在 冷卻分析后更換樣品時，可以防止樣品表面結霜。

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氬團簇離子源（Ar-GCIB）：有機材料深度剖析

使用氬團簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對有機材料的破壞，從而在刻蝕過程中保留有機大分子結構信息。

Cs源和Ar/O2源：無機材料深度剖析

可根據測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產額，使用Cs源可增強負離子產額 ；O2源可增強正 離子產額